GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求
| 标准号 | GB/T 41033-2021 | 标准名称 | CMOS集成电路抗辐射加固设计要求 |
| 发布日期 | 2021-12-31 | 实施日期 | 2022-07-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | 归口单位 | 全国宇航技术及其应用标准化技术委员会 | |
| 执行单位 | 国家标准化管理委员会 | 主管部门 | 国家标准化管理委员会 |
| 中国标准分类 | V29 | ||
| 国际标准分类 | 49.035 | ||
| 起草人 | 刘智、葛梅、岳红菊、于洪波、耿增建、胡巧玉、谢成民、王斌、姚思远、李海松 | ||
| 起草单位 | 中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所 | ||
| 适用范围 | 本文件规定了CMOS集成电路抗辐射（总剂量、单粒子）加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。 本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射（总剂量、单粒子）加固设计。 |
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