GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

标准编号：GB/T 11073-2007

代替以下标准：GB/T 11073-1989

中文名称：硅片径向电阻率变化的测量方法

英文名称：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

发布日期：2007-09-11

实施日期：2008-02-01

归口单位：中国有色金属工业协会

批准发布部门：中国有色金属工业协会

起草单位

峨嵋山半导体材料厂

本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。