标准编号：GB/T 11072-2009
代替以下标准：GB/T 11072-1989
中文名称：锑化铟多晶、单晶及切割片
英文名称：Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准化管理委员会
起草人
王炎、何兰英、张梅
起草单位
峨嵋半导体材料厂
标准范围
u3000u3000本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
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