GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

标准编号：GB/T 1553-2009

代替以下标准：GB/T 1553-1997

中文名称：硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

英文名称：Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

批准发布部门：国家标准化管理委员会

起草人

江莉、杨旭

峨嵋半导体材料厂

u3000u30001.1 本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。