标准编号：GB/T 35306-2017
中文名称：硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
英文名称：Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry
发布日期：2017-12-29
实施日期：2018-07-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准化管理委员会
起草人
张云晖、韩小月、刘晓霞、王桃霞、银波、刘国霞、童孟、钱津旺、毛智慧、赵建为、田洪先、刘明军、蔡延国、秦榕、杨红燕
起草单位
昆明冶研新材料股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、亚洲硅业（青海）有限公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
标准范围
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。
本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω？cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω？cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。
本标准测定碳、氧含量的有效范围从5X1014atoms？cm-3(0.01ppma）到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。
立即下载标准文件