SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
| 标准号 | SJ/T 11399-2009 | 标准名称 | 半导体发光二极管芯片测试方法 |
| 发布日期 | 2009-11-17 | 实施日期 | 2010-01-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | None | 归口单位 | 中国电子技术标准化研究所 |
| 批准发布部门 | 工业和信息化部 | ||
| 中国标准分类 | L45 | ||
| 国际标准分类 | 31.260 | ||
| 起草人 | 鲍超、胡爱华 | ||
| 起草单位 | 中国光学光电子行业协会光电器件分会、厦门华联电子有限公司等 | ||
| 适用范围 | 主要规定了电学参数、热学参数、色度学参数以及静电放电敏感性测试等主要性能参数的测试方法。 |
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