SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法
| 标准号 | SJ/T 11499-2015 | 标准名称 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 |
| 发布日期 | 2015-04-30 | 实施日期 | 2015-10-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | None | 归口单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 批准发布部门 | 工业和信息化部 | ||
| 中国标准分类 | H83 | ||
| 国际标准分类 | 29.045 | ||
| 起草人 | <p>丁丽、郑庆瑜、蔺娴 等</p> | ||
| 起草单位 | <p>中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院</p> | ||
| 适用范围 | 本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。 标准适用于在（～263.15～426.85）℃温度范围内，电阻率在1×10∧5Ω.cm以下、晶型为6H和4H的碳化 硅单晶的电学性能测试。 |
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