SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
| 标准号 | SJ/T 11492-2015 | 标准名称 | 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 |
| 发布日期 | 2015-04-30 | 实施日期 | 2015-10-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | None | 归口单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 批准发布部门 | 工业和信息化部 | ||
| 中国标准分类 | H83 | ||
| 国际标准分类 | 29.045 | ||
| 起草人 | <p>李静、金鹏、何秀坤 等</p> | ||
| 起草单位 | <p>信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、中国科学院半导体研究所等</p> | ||
| 适用范围 | 本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。 本标准适用于气相外延生长的，光致发光峰（λpl）在640nm～670nm范围内时，对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAs1-xPx晶片。 |
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