SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
| 标准号 | SJ/T 11493-2015 | 标准名称 | 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法 |
| 发布日期 | 2015-04-30 | 实施日期 | 2015-10-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | None | 归口单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 批准发布部门 | 工业和信息化部 | ||
| 中国标准分类 | H82 | ||
| 国际标准分类 | 29.045 | ||
| 起草人 | <p>马农农、何友琴、何秀坤 等</p> | ||
| 起草单位 | <p>信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等</p> | ||
| 适用范围 | 本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。 本标准适用于锑、砷、磷的掺杂浓度＜0．2％（1×10∧2at·cm-3）的单晶样品，其中氮的浓度大于等于1 ×10∧14 at·cm-3 |
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