SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
| 标准号 | SJ/T 11498-2015 | 标准名称 | 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 |
| 发布日期 | 2015-04-30 | 实施日期 | 2015-10-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | None | 归口单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 批准发布部门 | 工业和信息化部 | ||
| 中国标准分类 | H82 | ||
| 国际标准分类 | 29.045 | ||
| 起草人 | <p>何友琴、马农农、何秀坤 等</p> | ||
| 起草单位 | <p>信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等</p> | ||
| 适用范围 | 本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。 本标准适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2％（1×10∧20at·cm-3）的硅材料。特别适用于电阻率在0.0012Ω·cm～1.0Ω·cm的p型硅材料和电阻率在0.008Ω·cm～0.2·cm的n型硅材料。 |
||
| 首页预览图 | |||