SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
| 标准号 | SJ/T 11490-2015 | 标准名称 | 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 |
| 发布日期 | 2015-04-30 | 实施日期 | 2015-10-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | None | 归口单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 批准发布部门 | 工业和信息化部 | ||
| 中国标准分类 | H83 | ||
| 国际标准分类 | 29.045 | ||
| 起草人 | <p>章安辉、何秀坤、刘兵 等</p> | ||
| 起草单位 | <p>信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等</p> | ||
| 适用范围 | 本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。 本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000／cm2 的圆形GaAs晶片的EPD的测量。 |
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