SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
| 标准号 | SJ/T 11586-2016 | 标准名称 | 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 |
| 发布日期 | 2016-01-15 | 实施日期 | 2016-06-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | None | 归口单位 | 工业和信息化部电子工业标准化研究院 |
| 批准发布部门 | 工业和信息化部 | ||
| 中国标准分类 | L40 | ||
| 国际标准分类 | 31.080.01 | ||
| 起草人 | <p>罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等</p> | ||
| 起草单位 | <p>工业和信息化部电子第五研究所</p> | ||
| 适用范围 | 本标准规定了使用X射线辐射源(平均能量约10keV，最大能量不超过100keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。 本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。 本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。 |
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