标准编号：GB/T 41765-2022
中文名称：碳化硅单晶位错密度的测试方法
英文名称：Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
发布日期：2022-10-14
实施日期：2023-05-01
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准化管理委员会
起草人
彭同华、佘宗静、赵宁、王波、李素青、娄艳芳、王大军、郭钰、杨建
起草单位
北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
标准范围
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向{1120}方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
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