GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法

标准编号：GB/T 14146-2021

代替以下标准：GB/T 14146-2009

中文名称：硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法

英文名称：Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method

发布日期：2021-05-21

实施日期：2021-12-01

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

批准发布部门：国家标准化管理委员会

起草人

骆红、潘文宾、赵而敬、张佳磊、严琴、黄宇程、杨素心、赵扬、李慎重、黄黎、皮坤林

南京国盛电子有限公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、义乌力迈新材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、无锡华润上华科技有限公司

本文件规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容-电压法和无接触电容-电压法。

本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4X10¹³10cm^-3~8 ～ 10¹⁶cm^-3，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行，其中无接触电容-电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。