GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
| 标准号 | GB/T 43493.2-2023 | 标准名称 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 |
| 发布日期 | 2023-12-28 | 实施日期 | 2024-07-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | 国家标准化管理委员会 | 归口单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 执行单位 | 国家标准化管理委员会 | 主管部门 | 国家标准化管理委员会 |
| 中国标准分类 | L90 | ||
| 国际标准分类 | 31.080.99 | ||
| 起草人 | 芦伟立、房玉龙、李丽霞、杨青、张建锋、李振廷、张永强、钮应喜、丁雄杰、刘薇、乐卫平、周翔、郑隆结、薛联金、李佳、张冉冉、殷源、刘立娜、徐晨、宋生、金向军、毛开礼、周少丰、庄建军、夏俊杰、陆敏 | ||
| 起草单位 | 河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、山西烁科晶体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、深圳市恒运昌真空技术有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、之江实验室、浙江大学、河北普兴电子科技股份有限公司、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门普诚科技有限公司 | ||
| 适用范围 | 本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。 本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。 |
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