GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
| 标准号 | GB/T 43493.3-2023 | 标准名称 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 |
| 发布日期 | 2023-12-28 | 实施日期 | 2024-07-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 归口单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 执行单位 | 国家标准化管理委员会 | 主管部门 | 国家标准化管理委员会 |
| 中国标准分类 | L90 | ||
| 国际标准分类 | 31.080.99 | ||
| 起草人 | 芦伟立、房玉龙、丁雄杰、张冉冉、张建锋、李振廷、刘立娜、杨世兴、金向军、尹志鹏、周少丰、林志阳、李佳、殷源、王健、李丽霞、徐晨、杨青、马康夫、钮应喜、刘薇、陆敏 | ||
| 起草单位 | 河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、广东天域半导体股份有限公司、浙江大学、山西烁科晶体有限公司、中电化合物半导体有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门特仪科技有限公司、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司 | ||
| 适用范围 | 本文件提供了商用碳化硅（4H-SiC）同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。 |
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