SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底
| 标准号 | SJ/T 11864-2022 | 标准名称 | 半绝缘型碳化硅单晶衬底 |
| 发布日期 | 2022-10-20 | 实施日期 | 2023-01-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | 中国电子技术标准化研究院 | 归口单位 | 中国电子技术标准化研究院 |
| 执行单位 | 工业和信息化部 | 主管部门 | 工业和信息化部 |
| 中国标准分类 | H83 | ||
| 国际标准分类 | 29.045 | ||
| 起草人 | 高超、张红岩、宋生、张秋、梁庆瑞、窦文涛、杨世兴、房玉龙、李赟、任勉、王英民、李国平 | ||
| 起草单位 | 山东天岳先进科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、江苏卓远半导体有限公司 | ||
| 适用范围 | 本文件规定了半绝缘型碳化硅（sic）单晶衬底的术语、分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本文件适用于经抛光后制备的φ50.8mm，φ76.2mm，φ100.0mm，φ150.0mm半绝缘型sic衬底，晶型为4H。 |
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