SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范
| 标准号 | SJ/T 11869-2022 | 标准名称 | 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范 |
| 发布日期 | 2022-10-20 | 实施日期 | 2023-01-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | 工业和信息化部 | 归口单位 | 工业和信息化部 |
| 执行单位 | 工业和信息化部 | 主管部门 | 工业和信息化部 |
| 中国标准分类 | L53 | ||
| 国际标准分类 | 31.080 | ||
| 起草人 | 肖伟民、赵汉民、王志、彭翔、江柳杨、梁伏波、刘志刚、洪震、成森继、王琼、向健勇、白莹杰、邓昇、何飞龙、汪洋、陈赤、吴杜雄、葛莉荭 | ||
| 起草单位 | 晶能光电（江西）有限公司、江西省晶能半导体有限公司、深圳市长方集团股份有限公司、惠州雷世光电科技有限公司、中节能晶和科技有限公司、江西省绿野汽车照明有限公司、长春希达电子技术有限公司、上海三思电子工程有限公司、深圳市洲明科技股份有限公司、中国光学光电子协会、中国计量科学研究院、广州塞西标准检测研究院有限公司、厦门市产品质量监督研究院、惠州仲开高新区LED品牌发展促进会、南昌高新区光电产业联盟 | ||
| 适用范围 | 本文件规定了硅衬底白光功率发光二极管芯片的详细要求，包括芯片结构、性能要求，检验方法， 检验规则以及包装、标志、运输和储存等。 本文件适用于硅衬底白光功率发光二极管芯片。 |
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