SJ/T 11818.3-2022 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范
| 标准号 | SJ/T 11818.3-2022 | 标准名称 | 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范 |
| 发布日期 | 2022-10-20 | 实施日期 | 2023-01-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | 中国电子标准化研究院 | 归口单位 | 中国电子标准化研究院 |
| 执行单位 | 工业和信息化部 | 主管部门 | 工业和信息化部 |
| 中国标准分类 | L53 | ||
| 国际标准分类 | 31.260 | ||
| 起草人 | 吕天刚、王跃飞、吴乾、刘秀娟、周钢、梁奋、郑剑飞、刘东月、袁毅凯、李宗涛 | ||
| 起草单位 | 鸿利智汇集团股份有限公司、广州市鸿利秉一光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、广州赛西标准检测研究院院有限公司、三安光电股份有限公司、厦门多彩光电子科技有有限公司、中国电子科技集团有限公司第十三研究所、佛山市国星光电股份有限公司、华南理工大学 | ||
| 适用范围 | 本文件规定了半导体紫外发射二极管（以下简称器件）的术语和定义、分类、技术要求、检验方法、检验规则，以及标志、包装、运输和储存要求。 本文件适用于峰值波长范围在200nm~400nm件的制造和使用，峰值波长400nm~420nm的 器件可参照执行。 |
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