SJ/T 11818.1-2022 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法
| 标准号 | SJ/T 11818.1-2022 | 标准名称 | 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法 |
| 发布日期 | 2022-10-20 | 实施日期 | 2023-01-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | 中国电子技术标准化研究 | 归口单位 | 中国电子技术标准化研究 |
| 执行单位 | 工业和信息化部 | 主管部门 | 工业和信息化部 |
| 中国标准分类 | L53 | ||
| 国际标准分类 | 31.260 | ||
| 起草人 | 吴杜雄、周钢、刘秀娟、吕天刚、时军鹏、胡爱华、樊磊、陈志涛、刘宁炀、彭振坚、洪震、何苗、孙雪娇、刘硕、张云翠、吴乾、葛莉荭、张志国、虞美建栋、袁毅凯、麦家儿、颜爱军、许子愉 | ||
| 起草单位 | 广州赛西标准检测研究院有限公司、深圳赛西信息技术有限公司、鸿利智汇集团股份有限公司、三安光电股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、广东省半导体产业技术研究院、TCL半导体光源研究院、广东省中山市质量监督检测所、中国科学院半导体研究所、北京集创北方科技股份有限公司、福建鸿博光电科技有限公司、广东工业大学、大连工业大学光子学研究所、广州市鸿利秉一光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、北京国联万众半导体科技有限公司、杭州尚光电有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、杭州浙大三色仪器有限公司 | ||
| 适用范围 | 本文件规定了半导体紫外发射二极管（以下简称器件）辐射度参数测试方法，包括测试条件、测试仪器、测试步骤等。 本文件适用于峰值波长200nm~400nm器件的测试，峰值波长400nm~420nm器件的测试方法可参照执行。 |
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