SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范
| 标准号 | SJ/T 11866-2022 | 标准名称 | 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 |
| 发布日期 | 2022-10-20 | 实施日期 | 2023-01-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | 工业和信息化部 | 归口单位 | 工业和信息化部 |
| 执行单位 | 工业和信息化部 | 主管部门 | 工业和信息化部 |
| 中国标准分类 | L45 | ||
| 国际标准分类 | 31.26 | ||
| 起草人 | 王敏、刘秀娟、江柳杨、涂洪平、封波、尹江涛、王志、姜利平、曾平、涂鸿斌、刘志刚、巢芳超、洪震、成森继、王琼、向健勇、白莹杰、何飞飞、陈赤 | ||
| 起草单位 | 晶能光电（江西）有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西省晶能半导体有限公司、南昌光谷光电工业研究院有限公司、中节能晶和科技有限公司、江西省绿野汽车照明有限公司、深圳市长方集团股份有限公司、惠州雷世光电科技有限公司、长春希达电子技术有限公司、上海三思电子工程有限公司、深圳市洲明科技股份有限公司、中国光学光电子协会、惠州仲开高新区LED品牌发展促进会、中国计量科学研究院、江西通用节能科技有限公司、南昌高新区光电产业联盟 | ||
| 适用范围 | 本文件规定了硅衬底白光功率发光二极管的详细要求，包括器件结构、性能要求，检验方法，检验规则以及包装、标志、运输和储存等。 本文件适用于硅衬底白光功率发光二极管(以下简称“器件”）的生产、研制和检验。 |
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