YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
| 标准号 | YS/T 1600-2023 | 标准名称 | 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 |
| 发布日期 | 2023-04-21 | 实施日期 | 2023-11-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | 全国有色金属标准化技术委员会、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 | 归口单位 | 全国有色金属标准化技术委员会、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 执行单位 | 工业和信息化部 | 主管部门 | 工业和信息化部 |
| 中国标准分类 | H17 | ||
| 国际标准分类 | 77.040.30 | ||
| 起草人 | 刘红、刘鹏宇、胡芳菲、杨复光、刘丽媛、赵景鑫、孙道儒、骆红、佘宗静、黄景明、朱赞芳、谭秀珍、杨昆、李铭、马媛 | ||
| 起草单位 | 国合通用测试评价认证股份公司、国标（北京）检验认证有限公司、南京国盛电子有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、广东先导稀材股份有限公司、河北同光晶体有限公司、北京清质分析技术有限公司、贵研检测科技（云南）有限公司 | ||
| 适用范围 | 本文件规定了碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的辉光放电质谱测定方法。 本文件适用于碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。 |
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