GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法
| 标准号 | GB/T 24578-2024 | 标准名称 | 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 |
| 发布日期 | 2024-07-24 | 实施日期 | 2025-02-01 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | GB/T 24578-2015、GB/T 34504-2017 | |
| 提出单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 归口单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 执行单位 | 国家标准委 | 主管部门 | 国家标准委 |
| 中国标准分类 | H21 | ||
| 国际标准分类 | 77.040 | ||
| 起草人 | 宁永铎、孙燕、朱晓彤、康森、潘金平、任殿胜、丁雄杰、刘薇、赵丽丽、张西刚、贺东江、李素青、靳慧洁、孙韫哲、张海英、何凌、沈演凤、廖周芳、赖辉朋、廖家豪 | ||
| 起草单位 | 有研半导体硅材料股份公司、浙江海纳半导体股份有限公司、深圳牧野微电子技术有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、江苏华兴激光科技有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、深圳市晶导电子有限公司、天通银厦新材料有限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、江苏芯梦半导体设备有限公司、深圳市深鸿盛电子有限公司、湖南德智新材料有限公司 | ||
| 适用范围 | 本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5 nm以内金属元素的全反射X射线荧光光谱（TXRF）测试方法。 本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅（SOI）、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片或外延片表面金属沾污的测定，尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围：109 atoms/c㎡～1015 atoms/c㎡。 本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16（S）～92（U）的元素，尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅等金属元素。 |
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