GB/T 44514-2024 微机电系统（MEMS）技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法
| 标准号 | GB/T 44514-2024 | 标准名称 | 微机电系统（MEMS）技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法 |
| 发布日期 | 2024-09-29 | 实施日期 | 2024-09-29 |
| 废止日期 | 代替以下标准 | ||
| 提出单位 | 全国微机电技术标准化技术委员会 | 归口单位 | 全国微机电技术标准化技术委员会 |
| 执行单位 | 国家标准委 | 主管部门 | 国家标准委 |
| 中国标准分类 | L59 | ||
| 国际标准分类 | 31.080.99 | ||
| 起草人 | 王永胜、曹诗亮、刘韧、汤一、王志广、陈德勇、张鲁宇、鲁毓岚、郑冬琛、路文一、商艳龙、李帆雅、尚克军、李根梓、毛志平、孙立宁、杨旸、要彦清、张新伟、安志武、陈得民、张红旗、钱晓晨、高峰 | ||
| 起草单位 | 北京自动化控制设备研究所、中机生产力促进中心有限公司、山东中康国创先进印染技术研究院有限公司、西安交通大学、深圳市速腾聚创科技有限公司、安徽奥飞声学科技有限公司、天津新智感知科技有限公司、山东中科思尔科技有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司、合肥美的电冰箱有限公司、北京晨晶电子有限公司、苏州大学、中国科学院空天信息创新研究院、无锡华润上华科技有限公司、航天长征火箭技术有限公司、华东电子工程研究所（中国电子科技集团公司第三十八研究所）、苏州和林微纳科技股份有限公司 | ||
| 适用范围 | 本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。 本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的1/100。 |
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