国家标准

本标准:a)规定了使用每根载流量最高500mA的导线,通过符合ISO/IEC11801的平衡布缆提供远程供电,实现安全特低电压(SELV)和限功率电源(LPS)的应用,并支持通过平衡布缆为终端设备进

GB/T18233的本部分规定了工业建筑内或其他类型建筑内工业区的通用布缆,或者园区内的单个或多个建筑物。包括平衡布缆和光纤布缆。本部分主要适用于电信服务距离10000m内的建筑群。更大距离的系统可

GB/T 4937的本部分规定了非密封表面安装器件(SMDs)在可靠性试验前预处理的标准程序。本部分规定了SMDs的预处理流程。SMDs在进行规定的室内可靠性试验(鉴定/可靠性监测)前,需按本部分所

本部分为GB/T 11313.1-2013的分规范,它给出了制定RBMA系列盲配射频同轴连接器详细规范的内容和规则,以及详细规范的空白格式。RBMA系列射频同轴连接器的特性阻抗为50Ω,适用于无线、

GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。本试验是破坏性试验。

GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的,本部分中半导体芯片包括无源元件)。本部分适用于空腔封装,也可作为过程监测。不

GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试

GB/T4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内,振动对器件的影响。本试验是破坏性试验,通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T2423.10-2008基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本

本标准规定了半导体集成电路存储器的引出端排列。本标准适用于半字节动态存储器、字宽动态存储器、字节宽动态存储器、半字节同步动态存储器、字节宽同步动态存储器、字宽同步动态存储器的引出端排列。

GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法,以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或 烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。为制定具有可重复性的标准试验程序,选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。

本标准规定了发光二极管芯片(以下简称“芯片”)光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯

GB/T 4937的本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。

GB/T4937的本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。

GB/T11313的本部分规定了射频连接器的反射系数、电压驻波比和回波损耗的测试方法,包括频域法、时域法、门控时域法。本部分适用于接电缆的射频连接器(以下简称电缆连接器)、接微带射频连接器(以下简称

GB/T4937的本部分适用于采用再流焊工艺和暴露于大气环境中的所有非气密封装表面安装器件(SMD)。本部分的目的是为SMD承制方和用户提供按照IEC60749-20中规定进行等级分类的潮湿、再流焊

GB/T4937的本部分规定了几种不同的试验方法,用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲,为了重新装配对引线再成型加工时,进行此项试验。对于气密封装器件,建议在本试验之后

本部分为GB/T 11313.1-2013的分规范,它给出了制定1.6/5.6型(75Ω)和1.8/5.6型(50Ω)射频同轴连接器详细规范的内容和规则,以及详细规范的空白格式。1.6/5.6型(7

本部分为GB/T11313.1-2013的分规范,它给出了制定4.1/9.5型射频同轴连接器详细规范的内容和规则,以及详细规范的空白格式。4.1/9.5型射频同轴连接器具有500标称阻抗、螺纹连接,

GB/T 4937的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试验程序。本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDs)的“浸入和观察”可焊性试验程序,以及可选的SMD

GB/T11313的本部分规定了射频连接器插入损耗的测试方法。本部分适用于接电缆的射频连接器(以下简称电缆连接器)、接微带射频连接器(以下简称微带连接器)和射频连接器转接器(以下简称转接器)等的测试

GB/T31723的本部分规定了确定在模拟和数字通信系统中使用的跳线、同轴电缆组件、接连接器电缆的耦合衰减和屏蔽衰减的试验方法。

GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用,是一种破坏性试验。试验目的如下:a)检测和测量

本标准规定了电子商务交易中家具类产品信息描述的描述属性、描述方法、信息模型、通用信息摘要描述、专用信息摘要描述以及信息扩展方法。本标准适用于电子商务交易中家具类产品信息的描述、展示、交换和管理等。

本标准规定了我国国际贸易商业发票标识符的编码结构及编码规则。本标准适用于我国进出口企业编制国际贸易商业发票标识符。

本标准规定了电子证照系统技术框架、电子证照资源库和共享服务要求以及安全要求。本标准适用于电子证照系统的规划、设计、开发和利用。

本标准规定了电子证照共享服务的对外接口,包括应用场景和要求、接口描述等内容。本标准适用于电子证照共享服务的设计、开发和实施,不适用于证照信息资源交换以及管理统计等场景。

本标准规定了电子证照标识的编码规则以及标识生成、管理要求。本标准适用于电子证照标识的生成和校验。

本标准规定了证照类型元数据和证照分类规则,提出了证照目录的使用和管理要求。本标准适用于证照的分类、管理以及证照编目。

本标准规定了电子证照的信息模型,定义了证照的基础信息、业务信息和电子证照加注件信息,并给出了元数据的扩展规则。本标准适用于电子证照的生成、交换与利用。

本标准规定了电子证照文件的总体要求、元数据、数据标引、安全以及照面样式要求。本标准适用于电子证照文件的生成和验证。