电子行业标准(SJ)

本标准规定了高性能计算机机群监控系统的技术要求，包括机群监控系统结构、系统功能、性能要求、接口参考规范。适用于高性能计算机机群监控系统设计、开发，以及机群系统的维护。

本标准规定了测定电子器件用金铜钎料中铜的EDTA容量法。适用于电子器件用金铜钎料中铜含量的测定。

本部分规定了使用250V以下直流电源或1000V以下、50Hz或60Hz交流电源的LED驱动电源性能测试方法。本部分适用于由电网电源供电或由光伏、风能等分布式独立电源供电的LED驱动电源。

本标准规定了数字电视液晶显示器（以下简称LCD显示器）技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于数字电视液晶显示器，是产品设计、，生产定型和检验的主要依据。对于兼容接收符G

本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。

本部分规定了半导体红外发射二极管辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本标准规定了接触式图像传感器的要求、试验方法、质量评定程序及标志、包装、运输、贮存等。适用于接触式图像传感器的设计和制造。本标准是制定产品标准的依据。

本标准规定了采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定硝酸中金属元素的试验方法。本标准适用于电子工业用硝酸中痕量金属元素钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、钾(K)、钙(Ca)、钛(Ti)、钒(

本部分规定了半导体红外发射二极管辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本标准规定了集中空调风机盘管能耗监控系统的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于通过计算风机盘管的有效运行时间，进行空调计量的能耗监控装置。具有类似功能或原理的空

本部分规定了半导体红外发射二极管辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本标准规定了采用原子吸收光谱法(AAS)测定硝酸中金属元素银、金、钙、铜、铁、钾和钠的试验方法。适用于电子工业用硝酸(HNO3)中微量金属元素的测定。本标准不涉及使用安全性问题，本标准的使用人应负责

本标准规定了面阵式二维码识读引擎(以下简称产品)的要求、测试方法、质量评定程序、标志、包装、运输、贮存等。适用于面阵式二维码识读引擎的研发、制造、测试及应用。

本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。 标准适用于在（～263.15～426.85）℃温度范围内，电阻率在1×10∧5Ω.cm以下、晶型为6H和4H的碳化 硅单晶

本标准规定了电容器用金属化聚丙烯薄膜的术语和定义、分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜。

SJ/T 11532的本部分规定了危险化学品气瓶电子标签读写器的环境适应性、防爆、防腐蚀性和数据通信加密认证等的特殊要求。本部分适用于危险化学品气瓶标识用电子标签读写器的设计和应用。

本标准规定了数字相框产品（以下简称产品）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于数字相框产品以及具有数码图片显示功能的多媒体终端设备。

SJ／T 11532的本部分规定了采用电子标签标识的危险化学品气瓶代码的编码对象、代码的结构和表示形式。本部分适用于对气瓶使用登记和气瓶充装、检验、配送等的数据处理。

本标准规定影院扬声器系统的相关性能的测试方法。

本标准规定了50-141型聚四氟乙烯(PTFE)绝缘半柔同轴通信电缆的产品型号规格、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。

本标准规定了等离子显示器前介质、后介质、上障壁、下壁、封接用无铅玻璃粉的技术指标、测试方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于等离子显示器前介质、后介质、上障壁、下障壁、封接用无铅玻璃

SJ/T 11532的本部分规定了用于危险化学品气瓶标识的电子标签(以下简称标签)的性能、封装、固接要求和标签内存储数据的格式等内容。本部分适用于危险化学品气瓶标识用电子标签的设计、封装和应用。

本标准规定了利用X射线衍射定向法测定碳化硅单晶晶向的方法。 本标准适用于晶型为6H和4H的碳化硅单晶的晶向测定。

本标准规定了掺铝氧化锌透明导电氧化物玻璃的术语、定义、材料、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、储存和运输。 本标准适用于硅基薄膜太阳能电池用掺铝氧化锌型透明导电氧化物玻璃。其他薄膜太阳能电池

本规范规定了前投影机的功能和性能、测试方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存等。本规范适用于液晶（LCD)、硅基液晶（LCoS)、数字光学处理（DLP）投影方式的前投影机，为产品设计、生产定型、检验

本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法。 本标准适用于半绝缘砷化镓、磷化铟、碳化硅等高阻半导体材料电阻率的测量，电阻率的测量范围为10^5 Ω·cm～10^12Ω·cm。

本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。 本标准适用于气相外延生长的，光致发光峰（λpl）在640nm～670nm范围内时，对应磷的摩尔分

本标准规定了存储卡的基本术语、要求、试验方法、质量评定程序、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于存储卡的生产和检验。

本标准规定了碳化硅单晶抛光片（以下简称“抛光片”）表面质量的目视检验方法。 本标准适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测。

本标准规定了半绝缘砷化镓单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法。 本标准适用于电阻率在10^4Ω·cm～10^9Ω·cm范围内的半绝缘砷化单晶材料电学参数的测量。