电子行业标准(SJ)

本标准规定了拼接显示墙的术语和定义、技术要求、测量方法。本标准适用于由M层XN列（M和N至少有一个大于1，M、N为自然数）独立的投影（前投或背投）显示单元或平板显示单元（PDP乎板显示器和LCD平板

本部分规定了半导体红外发射二极管辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分规定了半导体红外发射二极管响应时间的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本标准规定了商用卷式热敏纸的要求、试验方法、质量评定程序和标志、包装、运输、贮存等。

本指导性技术文件规定了电子设备中印制板组装件在自然冷却和强迫风冷状态下的热设计。适用于印制板组装件的热设计和热分析。

本标准规定了数字电视等离子体显示器（以下简称PDP显示器）的技术要求、测量方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于数字电视等离子体显示器，是产品设计、生产定型和检验的主要依据。对于兼容

本标准规定了消费类有源扬声器(有源音箱)的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。适用于消费类有源扬声器(有源音箱)的设计、制造、检验和验收。

本标准规定了数字电视背投影显示器光学引擎的术语和定义、技术要求、测量方法等要求。适用于数字电视背投影显示器光学引擎，包括液晶(LCD)显示、硅基液晶(LCoS)显示、数字微镜(DMD)显示三种技术的

本标准规定了低压复合式开关的分类与型号命名、使用条件、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。适用于0.4 kV及以下低压配电网中投切电容器的低压复合式开关(以下简称为开关)。

本标准规定了专业用D类声频功率放大器（以下简称D类功放）的能效限定值及能效等级的要求和测量方法。 本标准适用于由电网电源供电功放总输出功率100t 以上（含100W）的D类功放；其他类型和总输出功率

本标准规定了便携式数字音视频播放器(下简称“播放器”)的要求、试验方法、质量评定程序、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于以闪存芯片或硬盘为存储媒体的便携式数字音视频播放器的生产和检测。其他具有音

本标准规定了测定电子器件用金镍钎料中镍的EDTA容量法。适用于电子器件用金镍钎料中镍含量的测定。

本标准规定了真空电子器件专用93%氧化铝瓷的定义、性能要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。

本部分规定了半导体红外发射二极管辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本标准描述了软件构件的运行环境的体系结构和编程模型。 本标准适用于软件企业中软件构件运行环境的开发、构建和应用。

本标准规定了高性能计算机机群监控系统的技术要求，包括机群监控系统结构、系统功能、性能要求、接口参考规范。适用于高性能计算机机群监控系统设计、开发，以及机群系统的维护。

本标准规定了测定电子器件用金铜钎料中铜的EDTA容量法。适用于电子器件用金铜钎料中铜含量的测定。

本部分规定了使用250V以下直流电源或1000V以下、50Hz或60Hz交流电源的LED驱动电源性能测试方法。本部分适用于由电网电源供电或由光伏、风能等分布式独立电源供电的LED驱动电源。

本标准规定了数字电视液晶显示器（以下简称LCD显示器）技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于数字电视液晶显示器，是产品设计、，生产定型和检验的主要依据。对于兼容接收符G

本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。

本部分规定了半导体红外发射二极管辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本标准规定了接触式图像传感器的要求、试验方法、质量评定程序及标志、包装、运输、贮存等。适用于接触式图像传感器的设计和制造。本标准是制定产品标准的依据。

本标准规定了采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定硝酸中金属元素的试验方法。本标准适用于电子工业用硝酸中痕量金属元素钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、钾(K)、钙(Ca)、钛(Ti)、钒(

本部分规定了半导体红外发射二极管辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本标准规定了集中空调风机盘管能耗监控系统的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于通过计算风机盘管的有效运行时间，进行空调计量的能耗监控装置。具有类似功能或原理的空

本部分规定了半导体红外发射二极管辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本标准规定了采用原子吸收光谱法(AAS)测定硝酸中金属元素银、金、钙、铜、铁、钾和钠的试验方法。适用于电子工业用硝酸(HNO3)中微量金属元素的测定。本标准不涉及使用安全性问题，本标准的使用人应负责

本标准规定了面阵式二维码识读引擎(以下简称产品)的要求、测试方法、质量评定程序、标志、包装、运输、贮存等。适用于面阵式二维码识读引擎的研发、制造、测试及应用。

本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。 标准适用于在（～263.15～426.85）℃温度范围内，电阻率在1×10∧5Ω.cm以下、晶型为6H和4H的碳化 硅单晶

本标准规定了电容器用金属化聚丙烯薄膜的术语和定义、分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜。