国家标准
本标准规定了室温下不同标距断伸长率之间的换算方法。它包括伸长率的换算公式和换算因子表以及进行这类换算的曲线图。 本标准适用于抗拉强度在300~700MPa范围内的热轧、热轧和正火或退火状态、回
本标准规定了室温下不同标距断后伸长率之间的换算方法,包括伸长率的换算公式和换算因子表以及进行这类换算的曲线图。 本标准适用于固滚处理状态下的奥氏体不锈钢,抗拉强度在450~750MPa,标距不
本标准包括检验金属和合金应力腐蚀敏感性用的C型环试样的设计、制备、加载、暴露及检查等方法,提供了C型环试样应力状态和分布的分析。本标准中“金属”一词也包括合金。 C型环是一种用于测定各种金属应
本方法规定了测定纺织品的颜色耐稀、热无机酸作用(如在制帽和毡合工业的温和毡合工艺中用酸)的方法。
本标准规定了测定多层产品的单层厚度的方法。 本标准适用于土工布及有关土工布产品,其他多层纺织品也可参照使用。
本标准规定了测定各类纺织品的颜色耐硫酸高温炭化处理的方法。此种炭化处理是为了去除植物性杂质而设计的加工工艺。 本标准适用于羊毛和含羊毛的纺织品。
本标准规定了一种测定除散纤维以外的各类纺织品颜色耐室外气候曝晒作用色牢度的方法。
本标准规定了一种测定除散纤维外各类纺织品的颜色耐氙灯试验仓内人造气候作用色牢度的方法。 本标准可用于测定湿光敏性纺织品。
本标准规定了纺织品的颜色耐酸作用(如在酸性毡合工艺中所使用的酸)的方法。
本标准规定了一种测定纺织品的颜色耐日光作用色牢度的方法。 本标准适用于各类纺织品。
本标准规定了一种测定各类纺织品的颜色在漂白动物纤维过程中耐二氧化硫能力的方法。
本标准规定了测定各类纺织品的颜色耐氯化铝高温炭化处理的方法。此种炭化处理是为了去除植物性杂质而设计的加工工艺。
本方法规定了测定各种类型纺织品的颜色耐汽蒸褶裥作用的方法。试样并非在褶裥状态下进行试验,故本试验不用以评定褶裥工艺的质量。 本方法提供三种不同剧烈程度的试验方法,根据需要可使用其中的一种或多种
本标准规定了织物重复商业洗涤的试验方法。 本标准适用于评定重复商业洗涤对织物燃烧性能的影响。
本标准规定了防护服用织物受金属熔滴冲击的防热性能的测定方法。 本标准适用于各种防熔融金属飞溅物灼伤人体的织物以及复合织物。此方法可用于对比相同条件下各种织物的防热性能差异。 本标准不适用
本标准适用于检验和评定有色纺织品在短暂的光曝晒后的变色。这种有色纺织品曝晒后变色,但贮存于暗处后实质上会恢复到原来的颜色。
本标准规定了在评定织物燃烧性能之前、以选定的温度进行重复家庭洗涤的试验方法。 本标准适用于评定使用硬水的家庭洗涤对织物燃烧性能的影响。
本标准规定了: 一组面向连接的规程,它们用于协议机之间传送数据和控制信息。这些协议机实现基本类虚拟终端服务(包括追加的功能单元在内)提供者的功能; 规程工作的两种方式; 用于传送数
本标准按照GB/T17580.1所规定的相关要求,以及按照ISO/IEC 9646-给出的相关指南,为基本类虚拟终端提供了PICS形式表。 本标准定义了评价虚拟终端实现一致性的一个使用指南。但
本标准规定了刚玉和碳化硅磨料,F4~F220粗磨粒粒度组成及其检测方法,并规定了粒度标记方法。 本标准适用于制造固结磨具和一般工业用途的磨粒,以及从固结磨具上回收的磨粒。
本标准规定了立式滚齿机的几何精度、传动精度和工作精度的要求及检验方法。 本标准适用于最大工作直径80~4000mm的普通级精度的立式滚齿机。 本标准仅涉及机床的精度检验,不适用于机床的运
本标准规定了电火花加工机床的安全防护技术要求。本标准适用于电火花成形机、电火花线切割机、电火花磨床、电火花穿孔机及其他电火花加工机床。
本标准规定了滚珠丝杠副的公称直径和公称导程的公制系列,并提出了公称直径和公称导程的优先组合与一般组合,当优先组合不够用时,可选用一般组合。 本标准适用于各类机械产品使用的公称直径在6~200m
本标准确定了磨削工艺用基本术语其定义、部分术语的符号和计量单位。 本标准适用于磨削专业及其正式出版发行的标准和书刊。
本标准以下列项抽象地定义了为OSI应用层外部可见的基本类虚拟终端服务: 一个定义服务用户间交互的模型; 服务的原语动作和事件; 与每个原语动作和事件相关的参数数据; 这些动作
IEC747标准包括如下内容: --分立器件和集成电路的通用标准; --为完善分立器件标准用的补充标准。
本空白详细规范规定了制定100A以下(含100A)环境或管壳额定的反向阻断三极闸流晶体管(包括快速型)详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
本空白详细规范规定了制定100A以下(含 100A)环境或管壳额定的双向三及闸流晶体管(包括快速型)详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范一致。 本空白详细规范
本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分
本空白详细规范规定了制定高低频放大环境额定的双极型晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
